第三百八十四章 MOCVD[1/2页]

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    第三百八十四章

    目前，发展较好的宽禁带半导t主要是an这两种。

    在燕大的半导t研究中心这，主要研究的宽禁带半导t对象是gan。

    nban基宽禁带半导t领域，该研究中心一直处于国内领先地位。

    注册拥有的和gan宽禁带半导t有关的发明专利，多达二十多个。

    nban基外延层的大面积、低功率激光剥离方法，铟镓氮单晶薄膜ocvd外延生长技术等等。

    第三代宽禁带半导t拥有良好的物理化学x能，可应用在诸多的领域。

    而现在，根据第三代半导t的发展情况，其主要应用为半导t照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。

    各个领域产业成熟度各不相同。

    但在前沿研究领域，宽禁带半导t还处于实验室研发阶段。

    目前市面上主流的半导t，还是以第一代半导t和第二代半导t为主。

    其原因嘛

    当然是第三代宽禁带半导t还有很多技术难题没有攻克。

    燕大的半导t研究所正在进行的工作，就是全力攻克这些难题，早日实现第三代半导t技术的彻底成熟，应用于市场。

    宽禁带半导t实验室，顾律三人穿着深棕se的实验f，在张主任的带领下走进去。

    实验室的面积很大。

    将近有半个篮球场的大小。

    一眼望去，可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。

    “主任好。”

    “主任好。”

    j位年轻的研究员助理见到张主任进来，客气的打招呼。

    张主任点点头，然后摆摆手，“你们接着忙，接着忙。”

    “我们先去ocvd那边吧。”张主任压低声音，询问顾律。

    顾律点头一笑。

    张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。

    “这个就是我们实验室的ocvd了”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。

    顾律上下打量了这台设备一番。

    所谓的ocvd，是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

    该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶t生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种3v主族、26副族化合物半导t以及它们的多元固溶t的薄层单晶材料。

    上面说的有些复杂。

    简单来理解的话，就是通过这台ocvd设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的gan宽禁带半导t。

    这是一台生长宽禁带半导t的仪器。

    顾律在国外见过这种设备。

    不过国内和国外的ocvd系统是有些区别的。

    因为ocvd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀x和重复x，所以国内和国外ocvd系统的主要区别在于反应室结构。

    在国外，反应室结构大多采用turbodisc反应，而国内则是采用行星反应。

    两者各有其不上谁更好。

  

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