第三百八十五章 技术难题[2/2页]

天才一秒记住本站地址：[小说屋]https://m.xspu.net最快更新！无广告！

    nbsp;  但听声音，应该是三十多岁。
    “哦，是方教授啊”张主任视线落在那位研究员身上，笑呵呵的为顾律介绍道，“这位是我们半导t的研究中心的方庆教授，主要负责半导t掺杂调控这一部分的研究内容。”
    “方教授，给你介绍一下，这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”
    “你好你好”
    “久仰久仰”
    两人简单的握了个手。
    “方教授，你过来找我有什么事吗”张主任笑呵呵的开口问道。
    “哦。”方教授把手件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
    张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗”
    方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，c杂质在gan中的晶格位置。”
    “唉”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊”
    顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗”
    张主任没有隐瞒。
    “准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导t领域都遇到了一个难题。”
    张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
    在目前的半导t领域，掺杂调控是氮化物半导t材料和器件发展的关键科学和技术问题。
    通过c掺杂获得半绝缘gan是当前研制gan基电子器件的主流方法。
    但作为iv族元素，c杂质在gan中具有两x特征，既可替代n原子，也可替代ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合t，使gan中c的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导t电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
    所以说，确定c杂质在gan中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
    燕大的半导t研究中心作为gan宽禁带半导t领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
    但结果
    就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在。
    让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。
    顾律听后，摸着下巴，一直沉默不语，在沉思着什么。
    足足j十秒后。
    顾律视线直视着张主任，苦笑一下开口，“张主任，要是我说，这个难题我可以解决，你相信吗”
    张主任很显然的懵b了一下。
    因为顾律的这句话明显不在张主任的意料之中。
    或者说
    张主任没想过这句话会从顾律口中说出来。
    张主任足足愣了有十j秒，才狠狠咽口唾沫，开口问道，“顾律，你是说真的，你真的有办法”
    “五成把握吧。”顾律没有打一个十足的包票。
    因为他也不确定那个办法，是否可以适用于宽禁带半导t领域。
    五成把握
    这个数字在张主任看来已经很高了。
    是值得一试的。
    只不过，从顾律这样一个数学家口中说出这句话，总是有一种不靠谱的感觉。

第三百八十五章 技术难题[2/2页]

『加入书签，方便阅读』